محققان دانشگاه فودان شانگهای برای اولین بار موفق به ساخت یک تراشه حافظه کاملاً کاربردی با مواد دوبعدی و ادغام مستقیم آن بر روی دای سیلیکونی استاندارد شدند. این دستاورد، که در Nature منتشر شده، نقطه عطفی مهم برای الکترونیک دوبعدی است. با فرآیند ATOM2CHIP، لایه‌ای از دی‌سولفید مولیبدن بر روی تراشه CMOS سیلیکونی رشد داده شد که منجر به تولید یک تراشه هیبریدی با حافظه فلش NOR دوبعدی و کنترلر CMOS استاندارد گردید. این تراشه عملکردی با بازدهی بالا، سرعت عملیاتی بالا و مصرف انرژی بسیار پایین را نشان داده است.

این پیشرفت پیامدهای گسترده‌ای فراتر از ذخیره‌سازی فلش دارد. معماری‌های هیبریدی می‌توانند مصرف برق را به شدت کاهش داده و چگالی را در پردازنده‌های نسل بعدی و هوش مصنوعی افزایش دهند و به طور موثر قانون مور را در حد اتمی ادامه دهند. با غلبه بر چالش‌های فنی، این تحقیق مواد دوبعدی را به نزدیک‌ترین نقطه به تجاری‌سازی رسانده است، هرچند تولید انبوه هنوز سال‌ها فاصله دارد.