دولت آمریکا ۱۵۰ میلیون دلار مشوق فدرال به xLight، توسعه‌دهنده EUV با حمایت گلسینگر، اعطا می‌کند

استارتاپ آمریکایی xLight، با حمایت پت گلسینگر، ۱۵۰ میلیون دلار مشوق فدرال تحت قانون CHIPS و علم دریافت کرده است. این شرکت در حال توسعه یک منبع نور مبتنی بر لیزر الکترون آزاد (FEL) برای لیتوگرافی EUV است که جایگزین منابع پلاسمای تولید شده با لیزر (LPP) سنتی می‌شود. این فناوری جدید با هدف بهبود چشمگیر کارایی تولید تراشه و تسریع قانون مور، اولین سیستم خود را در آلبانی خواهد ساخت.

این نوآوری پتانسیل ایجاد برتری حیاتی برای ایالات متحده در زنجیره تامین جهانی نیمه‌رساناها را دارد، زیرا سیستم FEL xLight روشنایی بیشتر و الگوبرداری دقیق‌تری را نوید می‌دهد. با این حال، اثبات قابلیت تولید انبوه آن چالش‌برانگیز است. همچنین، استفاده از شبکه آزمایشگاهی وزارت انرژی ممکن است به طبقه‌بندی برخی عناصر منجر شود که ضمن تقویت کنترل داخلی، صادرات را محدود کند.

DRAM سه‌بعدی نسل بعدی با دستیابی دانشمندان به پشته ۱۲۰ لایه با استفاده از تکنیک‌های پیشرفته رسوب‌گذاری به واقعیت نزدیک می‌شود

محققان imec و دانشگاه گنت با موفقیت ۱۲۰ لایه متناوب از سیلیکون و سیلیکون-ژرمانیوم را روی یک ویفر ۳۰۰ میلی‌متری رشد داده‌اند. این دستاورد، گامی مهم به سوی DRAM سه‌بعدی است. آنها چالش‌های عدم تطابق شبکه بلوری و تنش‌های مواد را با تنظیم دقیق ژرمانیوم، افزودن کربن و حفظ دمای یکنواخت در فرآیند رسوب‌گذاری اپیتکسیال حل کردند. این روش امکان ایجاد لایه‌های نانومتری دقیق را فراهم آورده و ساختاری چندلایه برای حافظه‌های با چگالی بالا می‌سازد.

این پیشرفت برای افزایش ظرفیت ذخیره‌سازی حافظه حیاتی است. پیامدهای آن فراتر از DRAM بوده و شامل ترانزیستورهای سه‌بعدی و محاسبات کوانتومی می‌شود. سامسونگ نیز DRAM سه‌بعدی را در برنامه خود دارد. این یک نقطه عطف مهم در فناوری نیمه‌رسانا است که می‌تواند به تراشه‌های متراکم‌تر، سریع‌تر و قابل اعتمادتر در آینده منجر شود.

جستجو در سایت

سبد خرید

درحال بارگذاری ...
بستن
مقایسه
مقایسه محصولات
لیست مقایسه محصولات شما خالی می باشد!