شرکت TSMC در کنفرانس مالی اخیر خود، پیشرفت چشمگیر فرآیند ساخت A14 (کلاس 1.4 نانومتری) را اعلام کرد. این فناوری در سه ماه گذشته به عملکرد دستگاهی و بازده SRAM نزدیک به 90 درصد دست یافته، که آن را در مراحل مشابه توسعه، بسیار جلوتر از N2 قرار میدهد. A14 که برای تولید انبوه در نیمه دوم 2028 برنامهریزی شده، با این سرعت پیشرفت، علاقه زیادی از سوی مشتریان در حوزههای گوشیهای هوشمند و کاربردهای هوش مصنوعی/HPC را به خود جلب کرده است.
این جهش در A14 عمدتاً به تجربه فزاینده TSMC با ترانزیستورهای نانوشیت Gate-All-Around (GAA) نسل دوم نسبت داده میشود. A14 قرار است عملکرد را 10 تا 15 درصد افزایش داده، مصرف انرژی را 25 تا 30 درصد کاهش داده و چگالی ترانزیستور را تا 23 درصد بهبود بخشد. این پیشرفتها میتواند به TSMC امکان دهد تا تولید انبوه را زودتر از موعد آغاز کند و نویدبخش نسل جدیدی از پردازندههای قدرتمند و کممصرف برای آینده فناوری است.
- کولبات
- تیر 26, 1405
