تیم تحقیقاتی دانشگاه استنفورد روشی انقلابی برای خنک‌سازی ترانزیستورها با استفاده از لایه‌های الماس ابداع کرده است. این لایه‌های میکرومتری، مستقیماً روی ترانزیستورها در دمای 400 درجه سانتی‌گراد رشد داده می‌شوند و توانسته‌اند دمای تراشه را تا 70 درجه سانتی‌گراد در عمل و 90% در شبیه‌سازی‌ها کاهش دهند. این دستاورد، گلوگاه حرارتی را که مانع اصلی پیشرفت نیمه‌هادی‌ها و پردازنده‌های متراکم‌تر است، برطرف می‌کند. الماس به دلیل رسانایی حرارتی فوق‌العاده بالا، برای مدیریت حرارت در تراشه‌های آینده ایده‌آل است.

این فناوری برای معماری‌های تراشه سه‌بعدی و نسل‌های آتی تراشه‌ها (مانند 1 نانومتر) حیاتی است. تیم استنفورد با همکاری دارپا و شرکت‌هایی چون TSMC، مایکرون و سامسونگ، در حال پیشبرد ادغام صنعتی این لایه رسانایی الماس است و نتایج آن تا سال 2027 انتظار می‌رود. این رویکرد می‌تواند راه حلی کلیدی برای محدودیت‌های حرارتی عصر سیلیکون و گامی به سوی زیرلایه‌های محاسباتی آینده باشد.