تیمی تحقیقاتی متشکل از دانشگاه‌های تایوان، استنفورد و شرکت TSMC، به پیشرفتی مهم در توسعه حافظه SOT-MRAM دست یافته‌اند. این حافظه غیرفرار جدید، سرعت سوئیچینگ حدود 1 نانوثانیه را ارائه می‌دهد که با SRAM رقابت می‌کند و قابلیت حفظ داده‌ها برای بیش از 10 سال را دارد. این دستاورد با معرفی لایه تنگستن (فاز بتا) و استفاده از لایه‌های کبالت برای تثبیت آن در دماهای بالا ممکن شده است، که چالش‌های اصلی در توسعه MRAM را برطرف کرده است.

این فناوری SOT-MRAM، علاوه بر سرعت بالا و غیرفرار بودن، مصرف انرژی پایینی دارد و برای کاربردهای حساس به انرژی مناسب است. با مشارکت TSMC، این دستگاه‌ها برای یکپارچه‌سازی در مقیاس بزرگ با فرآیندهای موجود صنعت نیمه‌هادی طراحی شده‌اند. کاربردهای اصلی این حافظه نسل بعدی شامل مراکز داده هوش مصنوعی و محاسبات لبه (Edge Computing) است، جایی که سرعت و قابلیت حفظ داده‌ها بدون نیاز به برق، نقش کلیدی در تسریع پذیرش آن ایفا خواهد کرد.