سامسونگ گواهینامه انویدیا را برای حافظه HBM3 خود کسب کرد

سامسونگ گواهینامه انویدیا را برای تراشه‌های ۱۲ لایه HBM3E خود، که برای شتاب‌دهنده‌های هوش مصنوعی پیشرفته حیاتی هستند، با موفقیت کسب کرد. این خبر باعث جهش بیش از ۵ درصدی سهام سامسونگ شد و نشان‌دهنده رسیدن این شرکت به رقبای اصلی خود، SK hynix و Micron، در بازار حافظه‌های HBM3E است. فروش انبوه HBM3E سامسونگ به انویدیا تا سال ۲۰۲۶ آغاز نخواهد شد، اما حافظه HBM3 آن در کارت‌های Nvidia DGX B300 و AMD Instinct MI350 استفاده می‌شود.

صنعت به سرعت به سمت نسل بعدی، HBM4، حرکت می‌کند که پهنای باند ۲ ترابایت بر ثانیه، ظرفیت ۶۴ گیگابایت و کاهش مصرف انرژی را نوید می‌دهد. سامسونگ برای دریافت گواهینامه زودهنگام HBM4 و آغاز تولید انبوه در نیمه اول ۲۰۲۶ تلاش می‌کند. اگرچه SK hynix در توسعه HBM4 پیشتاز است، اما جهش سهام سامسونگ نشان‌دهنده اعتماد سرمایه‌گذاران به توانایی این شرکت برای رقابت است.

انویدیا برای مقابله با MI450 ای‌ام‌دی، به دنبال HBM4 با سرعت 10 گیگابیت بر ثانیه است؛ گزارش‌ها حاکی از فشار این شرکت بر تامین‌کنندگان برای پهنای باند بیشتر است.

انویدیا تامین‌کنندگان حافظه را برای HBM4 با سرعت 10 گیگابیت بر ثانیه (پلتفرم Vera Rubin 2026) تحت فشار قرار می‌دهد. این سرعت، فراتر از استاندارد JEDEC (8 گیگابیت بر ثانیه) بوده و هدفش افزایش پهنای باند GPU برای رقابت با MI450 ای‌ام‌دی. پهنای باند GPU را تا 15 ترابایت بر ثانیه می‌رساند، اما چالش‌هایی چون مصرف توان بالا و پیچیدگی فنی دارد. TrendForce به تقسیم‌بندی SKUهای Rubin بر اساس رده HBM اشاره دارد.

SK hynix توسعه HBM4 را تکمیل کرده؛ سامسونگ با نود 4 نانومتری FinFET رویکردی تهاجمی دارد. ای‌ام‌دی با MI450 (تا 432 گیگابایت HBM4 در هر GPU) در حال رقابت است. تکیه انویدیا بر HBM4 10Gbps، آن را در معرض خطرات تامین، بازدهی و محدودیت‌های توان قرار می‌دهد، که رقابت فشرده و چالش‌های فنی توسعه حافظه‌های پیشرفته را نشان می‌دهد.

جستجو در سایت

سبد خرید

درحال بارگذاری ...
بستن
مقایسه
مقایسه محصولات
لیست مقایسه محصولات شما خالی می باشد!