ASML، اینتل، سامسونگ و TSMC برای انتقال صنعت به فوتوماسک‌های ۶×۱۲ اینچی در لیتوگرافی High-NA EUV همکاری می‌کنند. این تغییر برای چاپ تراشه‌های بزرگ در یک مرحله و بدون نیاز به دوخت طرح‌های کوچک‌تر ضروری است. لیتوگرافی High-NA EUV با رزولوشن بالا، با ماسک‌های ۶×۶ اینچی فعلی، تنها می‌تواند یک نیم‌میدان را نوردهی کند. این امر منجر به کاهش توان عملیاتی، پیچیدگی طراحی و خطر کاهش بازده می‌شود.
پذیرش ماسک‌های ۶×۱۲ اینچی نیازمند تغییرات گسترده در کل زیرساخت صنعت، از تامین‌کنندگان مواد تا تجهیزات ASML است. این انتقال سال‌ها به طول خواهد انجامید و انتظار می‌رود تا سال ۲۰۳۳ به آمادگی کامل برسد. ماسک‌های ۶×۶ و ۶×۱۲ اینچی برای مدتی همزیستی خواهند داشت، زیرا ماسک‌های بزرگ‌تر عمدتاً برای طرح‌های بسیار بزرگ مانند شتاب‌دهنده‌های هوش مصنوعی و CPUهای مراکز داده اهمیت دارند.