استارتاپ آمریکایی xLight، با حمایت پت گلسینگر، ۱۵۰ میلیون دلار مشوق فدرال تحت قانون CHIPS و علم دریافت کرده است. این شرکت در حال توسعه یک منبع نور مبتنی بر لیزر الکترون آزاد (FEL) برای لیتوگرافی EUV است که جایگزین منابع پلاسمای تولید شده با لیزر (LPP) سنتی میشود. این فناوری جدید با هدف بهبود چشمگیر کارایی تولید تراشه و تسریع قانون مور، اولین سیستم خود را در آلبانی خواهد ساخت.
این نوآوری پتانسیل ایجاد برتری حیاتی برای ایالات متحده در زنجیره تامین جهانی نیمهرساناها را دارد، زیرا سیستم FEL xLight روشنایی بیشتر و الگوبرداری دقیقتری را نوید میدهد. با این حال، اثبات قابلیت تولید انبوه آن چالشبرانگیز است. همچنین، استفاده از شبکه آزمایشگاهی وزارت انرژی ممکن است به طبقهبندی برخی عناصر منجر شود که ضمن تقویت کنترل داخلی، صادرات را محدود کند.
موسسه فیزیک ریزساختار آکادمی علوم روسیه، نقشه راه بلندمدتی (2026-2037) را برای توسعه ابزارهای لیتوگرافی فرابنفش شدید (EUV) داخلی با طول موج 11.2 نانومتر ارائه کرده است. این طرح شامل سه مرحله اصلی برای تولید تراشههای 40 نانومتری تا زیر 10 نانومتری است و از معماری متفاوتی نسبت به ASML (با لیزرهای هیبریدی، پلاسمای زنون و آینههای روتنیوم/بریلیوم) بهره میبرد. هدف اصلی، خودکفایی در تولید تراشه و ارائه راهکاری مقرونبهصرفه برای کارخانههای کوچکتر است.
این رویکرد روسی، با حذف نیاز به سیالات غوطهوری و پلاسمای مبتنی بر قلع، میتواند نگهداری را کاهش داده و برای مشتریان بینالمللی خارج از اکوسیستم ASML جذاب باشد. با این حال، قابلیت اجرایی این نقشه راه، به ویژه با توجه به استفاده از طول موج غیر استاندارد صنعتی 11.2 نانومتر و پیچیدگیهای فنی، هنوز نامشخص است. در صورت موفقیت، این پروژه میتواند تولید تراشههای پیشرفته را با هزینههای کمتر برای مصارف داخلی و صادراتی ممکن سازد.
