محققان imec و دانشگاه گنت با موفقیت ۱۲۰ لایه متناوب از سیلیکون و سیلیکون-ژرمانیوم را روی یک ویفر ۳۰۰ میلی‌متری رشد داده‌اند. این دستاورد، گامی مهم به سوی DRAM سه‌بعدی است. آنها چالش‌های عدم تطابق شبکه بلوری و تنش‌های مواد را با تنظیم دقیق ژرمانیوم، افزودن کربن و حفظ دمای یکنواخت در فرآیند رسوب‌گذاری اپیتکسیال حل کردند. این روش امکان ایجاد لایه‌های نانومتری دقیق را فراهم آورده و ساختاری چندلایه برای حافظه‌های با چگالی بالا می‌سازد.

این پیشرفت برای افزایش ظرفیت ذخیره‌سازی حافظه حیاتی است. پیامدهای آن فراتر از DRAM بوده و شامل ترانزیستورهای سه‌بعدی و محاسبات کوانتومی می‌شود. سامسونگ نیز DRAM سه‌بعدی را در برنامه خود دارد. این یک نقطه عطف مهم در فناوری نیمه‌رسانا است که می‌تواند به تراشه‌های متراکم‌تر، سریع‌تر و قابل اعتمادتر در آینده منجر شود.