TSMC بی‌سروصدا تولید انبوه تراشه‌های 2 نانومتری (N2) خود را آغاز کرده است، که نقطه عطفی مهم در صنعت نیمه‌هادی است. این فرآیند جدید، اولین گره TSMC با ترانزیستورهای نانوشیت Gate-All-Around (GAA) است که بهبود عملکرد 10 تا 15 درصدی در توان ثابت، کاهش مصرف انرژی 25 تا 30 درصدی در عملکرد ثابت، و افزایش چگالی ترانزیستور تا 15 تا 20 درصد نسبت به N3E را ارائه می‌دهد. خازن‌های SHPMIM نیز برای بهبود پایداری و بهره‌وری انرژی به شبکه توزیع برق اضافه شده‌اند.

تولید در کارخانه Fab 22 آغاز شده و به دلیل تقاضای بالا، TSMC همزمان دو کارخانه مجهز به N2 را برای تولید تراشه‌های گوشی‌های هوشمند و کاربردهای هوش مصنوعی/HPC راه‌اندازی می‌کند. برنامه‌های آینده شامل N2P (نسخه بهبود یافته N2) و A16 (با Super Power Rail برای پردازنده‌های پیچیده AI و HPC) در اواخر 2026 است که نشان‌دهنده نوآوری مستمر و تمرکز استراتژیک TSMC بر محاسبات با کارایی بالا است.