تحلیل‌های SemiAnalysis از تراشه Kirin 9030 هواوی نشان می‌دهد که فرآیند ساخت N+3 شرکت SMIC به چگالی ترانزیستوری چشمگیری دست یافته است. این فناوری ۷ نانومتری، با چگالی حدود ۱۱۳.۴ میلیون ترانزیستور در هر میلی‌متر مربع، حتی از TSMC N6 نیز فراتر رفته و این موفقیت را بدون لیتوگرافی EUV و با تکیه بر تکنیک‌های DUV چند الگوسازی کسب کرده است. این دستاورد، پیشرفت قابل توجهی برای صنعت نیمه‌هادی چین محسوب می‌شود.

اما چگالی بالا لزوماً به معنای رقابت‌پذیری کلی نیست. Kirin 9030 از نظر عملکرد و بهره‌وری انرژی، از پردازنده‌های پرچمدار مدرن عقب‌تر است و عملکردی مشابه تراشه‌های سه سال پیش دارد. Intel 18A با بهره‌وری عملکردی به مراتب بالاتری، از فناوری‌های پیشرفته‌ای مانند Gate-All-Around بهره می‌برد. اگرچه SMIC پتانسیل افزایش چگالی در آینده را دارد، اما صرفاً چگالی ترانزیستور به تنهایی بهبود چشمگیری در عملکرد یا بهره‌وری انرژی به ارمغان نمی‌آورد.