IBM با تولید اولین تراشه آزمایشی 0.7 نانومتری (7 آنگستروم)، به پیشرفتی چشمگیر در فناوری ساخت نیمه‌رسانا دست یافته که اولین فرآیند تولید زیر 1 نانومتر در صنعت است. این فناوری جدید بر پایه ترانزیستورهای نانواستک است که با استفاده از دو ویفر و پیوند دی‌الکتریک فوق‌نازک، نوید افزایش چشمگیر کارایی (تا 50%) و بهره‌وری انرژی (تا 70%) را در مقایسه با گره 2 نانومتری IBM می‌دهد. این دستاورد با جداسازی عمودی ترانزیستورهای نوع n و p و بهینه‌سازی مستقل آنها حاصل شده است.

با این حال، این رویکرد نوآورانه با چالش‌هایی نظیر تراز ویفرها، بازده پیوند، پیچیدگی مسیریابی و خنک‌سازی، و هزینه‌های بالا روبروست. IBM جزئیاتی درباره هزینه‌ها ارائه نکرده و تراشه آزمایشی فعلی کوچک است. پیش‌بینی می‌شود این فناوری ابتدا برای هوش مصنوعی مراکز داده سنگین مناسب باشد. IBM معتقد است نانواستک می‌تواند ظرف پنج سال آینده وارد تولید انبوه شود، اما اینها بیشتر IPهای پیش‌رقابتی هستند.