محققان کره‌ای (V-Die) و ژاپنی (MOSAIC) دو رویکرد نوین برای حافظه HBM هوش مصنوعی ارائه کرده‌اند. این طرح‌ها با قرار دادن دای‌های DRAM به صورت جانبی (به جای انباشتن عمودی)، مشکل گرمای بیش از حد و محدودیت ظرفیت را حل می‌کنند. V-Die با خنک‌کننده مایع، عملکردی بسیار بالاتر از HBM4 را در شبیه‌سازی‌ها نشان می‌دهد. MOSAIC نیز با رابط‌های بدون تماس، تولید آسان‌تر و دو برابر شدن ظرفیت HBM4 را وعده می‌دهد. هدف این نوآوری‌ها، غلبه بر «دیوار حافظه» و ارائه پهنای باند و چگالی بالاتر برای پردازنده‌های هوش مصنوعی آینده است.

با وجود نتایج امیدوارکننده، V-Die و MOSAIC هنوز در مراحل اولیه توسعه و اثبات مفهوم قرار دارند و تا تجاری‌سازی فاصله زیادی دارند. این تلاش‌ها، همراه با نوآوری‌های دیگر از شرکت‌هایی چون SK Hynix، سامسونگ و اینتل، نشان‌دهنده رقابت برای حل محدودیت‌های حافظه در عصر هوش مصنوعی است که می‌تواند آینده سخت‌افزار و پردازش‌ها را متحول کند.