یک مرد ۵۲ ساله بلژیکی-چینی به ظن جاسوسی به دلیل انتقال ادعایی مالکیت فکری تخصصی نیمه‌رسانا و اسرار تجاری از شرکت بلژیکی تولیدکننده تراشه BelGaN، جایی که او کار می‌کرد، به چین دستگیر شده است. بر اساس گزارش آسوشیتدپرس که جزئیات منتشر شده توسط دفتر دادستان فدرال بلژیک در ۷ سپتامبر را نقل می‌کند، این ساکن بلژیکی متولد پکن در ۱۰ مه در فرودگاه بروکسل در حالی که قصد سوار شدن به پروازی به چین را داشت، بازداشت شد.

مظنون — که رسانه‌های بلژیکی تنها با نام H.L. از او یاد کرده‌اند — پیش از این یک سمت تحقیقاتی ارشد در شرکت اکنون منحل شده BelGaN داشت که در زمینه نیمه‌رساناهای گالیوم نیترید (GaN) تخصص داشت. بازرسان گمان می‌کنند که او همزمان یک شرکت تراشه چینی به نام GanKool را رهبری می‌کرده که دقیقاً همان فناوری تخصصی تراشه گالیوم نیترید BelGaN را توسعه می‌داد. این شرکت تنها چند ماه پس از پیوستن H.L. به BelGaN تأسیس شد و توسط یک صندوق سرمایه‌گذاری چینی تأمین مالی می‌شد. مظنون اکنون با اتهامات جاسوسی صنعتی، عضویت در یک سازمان جنایی، سوءاستفاده از دارایی‌های شرکت و افشای غیرقانونی اسرار تجاری روبرو است.

اتهامات جاسوسی از تحقیقات درباره فروپاشی BelGaN نشأت گرفت. هنگامی که این شرکت در تابستان ۲۰۲۴ ورشکست شد، مقامات بلژیکی یک بررسی مالی روتین را در مورد این شکست آغاز کردند. بازرسان در نهایت فعالیت‌های شرکتی بسیار غیرعادی را کشف کردند. به جای تلاش برای حفظ پایداری مالی BelGaN، مدیران و محقق ممکن است فعالانه سعی کرده باشند شرکت بلژیکی را پس از انتقال دانش اختصاصی آن “ناپدید” کنند. این امر منجر به تحقیقات بیشتر شد که وجود GanKool و ارتباطات آن با BelGaN را آشکار کرد.

علاوه بر نقش محقق، بازرسان شواهدی نیز یافتند که آخرین مدیرعامل BelGaN، یک تبعه چینی، را به همان رقیب چینی مرتبط می‌کرد. دادستان‌ها گفته‌اند که مظنون دوم همچنان متواری است و رسانه‌های بلژیکی گمانه‌زنی می‌کنند که مدیرعامل همان مظنون است.

این حادثه رقابت فزاینده بر سر فناوری و مالکیت فکری در صنعت نیمه‌رسانا را برجسته می‌کند، به‌ویژه در حالی که چین برای کاهش وابستگی خود به فناوری تراشه خارجی تلاش می‌کند و ایالات متحده همچنان دسترسی این کشور به پردازنده‌های پیشرفته و تجهیزات ساخت نیمه‌رسانا را محدود می‌کند. تنها ماه گذشته، اسناد دادگاه کره جنوبی، شرکت چینی تولیدکننده حافظه CXMT را متهم کرد که از یک نقشه راه دقیق “پروژه هفئی” برای دستیابی به فناوری اختصاصی DRAM سامسونگ، از جمله یک دستورالعمل فرآیند ۶۲۰ مرحله‌ای، استفاده کرده است. یک مهندس سابق سامسونگ نیز به دلیل این طرح به هفت سال زندان محکوم شده است.