شرکت CXMT چین، پیشرو در تولید DRAM، تولید آزمایشی حافظه HBM3E را آغاز کرده است. این گام، با وجود عقب‌ماندگی یک نسل از HBM4، پیشرفت تکنولوژیکی این شرکت را نشان می‌دهد. حافظه‌های HBM3E با رابط ۱۰۲۴ بیتی و پهنای باند تا ۱.۲۲۸ ترابایت بر ثانیه، ظرفیت‌های ۲۴ یا ۳۶ گیگابایتی را ارائه می‌دهند. توسعه‌دهندگان چینی در حال ارزیابی این حافظه‌ها برای استفاده در محصولات تجاری از سال آینده هستند.

تولید HBM3E توسط CXMT اهمیت زیادی دارد. این حافظه‌ها برای شتاب‌دهنده‌های هوش مصنوعی مدرن حیاتی بوده و تولید داخلی‌شان وابستگی چین به تولیدکنندگان خارجی را کاهش می‌دهد. ساخت HBM پیچیده‌تر از DRAM معمولی است و این موفقیت بلوغ اکوسیستم حافظه چین را نشان می‌دهد. از منظر ژئوپلیتیکی، این دستاورد چین را به خودکفایی در صنعت نیمه‌رسانا نزدیک‌تر می‌کند.