TSMC اعلام کرده است که از سال ۲۰۳۰ استفاده از لیتوگرافی پیشرفته High-NA EUV را آغاز خواهد کرد. این فناوری با وضوح تکنوردهی ۸ نانومتری، نسبت به سیستمهای Low-NA EUV فعلی با وضوح ۱۳ نانومتری، برتری قابل توجهی دارد و برای تولید تراشههای پیچیدهتر آینده ضروری است. TSMC قصد دارد ابتدا از فوتوماسکهای ۶×۶ اینچی استفاده کند و سپس تا سال ۲۰۳۳ به فوتوماسکهای بزرگتر ۶×۱۲ اینچی روی آورد.
استفاده از فوتوماسکهای ۶×۶ اینچی در High-NA EUV چالشهایی را برای ساخت دایهای بزرگ ایجاد میکند. TSMC برای غلبه بر این محدودیتها و تسهیل انتقال به فوتوماسکهای بزرگتر، با ASML همکاری میکند. این تغییر نیازمند تلاش کل صنعت است. گمانهزنیها حاکی از آن است که گرههای A10 یا A11 (کلاس ۱/۱.۱ نانومتر) اولین فناوریهایی خواهند بود که از این سیستمهای جدید بهره میبرند.
گزارشها حاکی از آن است که TSMC، غول تولید تراشه، حدود 15 مشتری برای فرآیند ساخت پیشرفته 2 نانومتری (N2) خود جذب کرده است. این فناوری که برای کاربردهای محاسبات با کارایی بالا (HPC) از جمله رایانههای شخصی، کنسولهای بازی و مراکز داده حیاتی است، در مراحل اولیه توسعه خود محبوبیت بیشتری نسبت به نسلهای قبلی N3 و N5 نشان داده است. شرکتهایی نظیر اینتل، AMD، مدیاتک، اپل، Broadcom و Qualcomm از جمله پذیرندگان اولیه این فناوری هستند که نشاندهنده اهمیت استراتژیک آن در آینده صنعت نیمهرسانا است.
در حالی که اپل به طور سنتی اولین مشتری فناوریهای پیشرفته TSMC بوده، این بار شرکتهای دیگری نیز همزمان یا با فاصله کمی به N2 روی آوردهاند. AMD و مدیاتک برنامههای خود را برای پردازندههای سرور و کلاینت مبتنی بر N2 در سال 2026 تأیید کردهاند و اینتل نیز پردازندههای Nova Lake خود را بر پایه این گره تولید خواهد کرد. مزایای این فناوری، از جمله ترانزیستورهای Gate-All-Around (GAA) و سیستم تحویل توان بهبود یافته، آن را برای پردازندههای موبایل و مراکز داده بسیار جذاب کرده است. TSMC نیز در پاسخ به این تقاضا، در حال افزایش ظرفیت تولید N2 در تایوان و آریزونا است.
