مدیر مالی اینتل، دیوید زینسنر، اعلام کرده است که فرآیند ساخت 14A این شرکت (کلاس 1.4 نانومتری) در کاهش چگالی نقص، عملکردی بهتر از انتظار و بیسابقه از زمان فناوری 22 نانومتری دهه 2010 از خود نشان داده است. این پیشرفت باعث افزایش اعتماد اینتل و مشتریان داخلی و خارجی به این گره تولیدی شده است. زینسنر این عملکرد را با موفقیت فرآیند 22 نانومتری در مراحل اولیه توسعه مقایسه کرده است، که یکی از بهترین گرههای تولیدی اینتل محسوب میشود.
با وجود اینکه تولید انبوه 14A تا سال 2028 فاصله دارد، مشتریان خارجی از هماکنون علاقه عملی به ظرفیتهای تولید آن نشان دادهاند. 14A قرار است از ترانزیستورهای RibbonFET نسل دوم GAA، فناوری PowerDirect و لیتوگرافی High-NA EUV استفاده کند. اینتل با این پیشرفت، امیدوار است که 14A برخلاف برخی گرههای ناموفق قبلی مانند 10 نانومتری و 20A، یک گره ماندگار و موفق باشد.
کارخانه Fab 52 اینتل در آریزونا، از نظر فناوری و ظرفیت تولید، از تاسیسات فعلی و آتی TSMC در ایالات متحده پیشرفتهتر و مجهزتر است. این کارخانه برای تولید تراشههایی با فناوری پیشرفته 18A (کلاس ۱.۸ نانومتر) طراحی شده که از ترانزیستورهای RibbonFET با گیت همهجانبه (GAA) و شبکه توزیع برق پشتی PowerVia بهره میبرد. Fab 52 با ظرفیت تولید ۴۰,۰۰۰ ویفر در ماه و مجهز به چهار سیستم لیتوگرافی پیشرفته ASML Twinscan NXE Low-NA EUV، حتی پس از تکمیل فاز دوم Fab 21 شرکت TSMC، همچنان همتراز یا جلوتر از آن خواهد بود.
با این حال، برنامه افزایش تولید Fab 52 اینتل با چالشهایی روبروست. این کارخانه در حال حاضر مشغول افزایش تولید پردازندههای Panther Lake با فناوری 18A است که هنوز در مراحل اولیه منحنی بازدهی خود قرار دارد. اینتل انتظار دارد بازدهی 18A تا اوایل سال ۲۰۲۷ به سطوح جهانی برسد. تا آن زمان، تولید CPUها با این گره محدود خواهد بود و بخشی از ظرفیت کارخانه بلااستفاده میماند. در مقابل، TSMC با استفاده از فناوریهای اثباتشده، تولید تراشه را در ایالات متحده به سرعت افزایش داده و بهرهبرداری از کارخانههای خود را به نزدیک ۱۰۰٪ میرساند.
