بر اساس تحلیل یک کارشناس UBS، توانایی چین در تولید ابزارهای لیتوگرافی با وضعیت ASML در سال ۲۰۰۴ قابل مقایسه است و صنعت نیمهرسانای این کشور همچنان از رقبای غربی عقب است. با وجود تلاشهای گسترده چین برای خودکفایی و توسعه ابزارهای ساخت تراشه داخلی، هیچ یک از شرکتهای چینی تاکنون موفق به تولید انبوه یک دستگاه لیتوگرافی رقابتی برای ساخت تراشههای مدرن نشدهاند.
شرکت SMEE در سال ۲۰۲۳ از اولین سیستم لیتوگرافی DUV غوطهوری خود با قابلیت ساخت تراشه تا گره ۲۸ نانومتر خبر داد، اما هیچ مدرکی دال بر آغاز تولید انبوه یا استفاده عملی آن توسط سازندگان تراشه وجود ندارد. پیچیدگی فرآیند لیتوگرافی و نیاز به زمان طولانی برای ارزیابی و تأیید صلاحیت، نشان میدهد که حتی در صورت موفقیت، استقرار گسترده این فناوری در چین سالها زمان خواهد برد.
شرکت CXMT چین، پیشرو در تولید DRAM، تولید آزمایشی حافظه HBM3E را آغاز کرده است. این گام، با وجود عقبماندگی یک نسل از HBM4، پیشرفت تکنولوژیکی این شرکت را نشان میدهد. حافظههای HBM3E با رابط ۱۰۲۴ بیتی و پهنای باند تا ۱.۲۲۸ ترابایت بر ثانیه، ظرفیتهای ۲۴ یا ۳۶ گیگابایتی را ارائه میدهند. توسعهدهندگان چینی در حال ارزیابی این حافظهها برای استفاده در محصولات تجاری از سال آینده هستند.
تولید HBM3E توسط CXMT اهمیت زیادی دارد. این حافظهها برای شتابدهندههای هوش مصنوعی مدرن حیاتی بوده و تولید داخلیشان وابستگی چین به تولیدکنندگان خارجی را کاهش میدهد. ساخت HBM پیچیدهتر از DRAM معمولی است و این موفقیت بلوغ اکوسیستم حافظه چین را نشان میدهد. از منظر ژئوپلیتیکی، این دستاورد چین را به خودکفایی در صنعت نیمهرسانا نزدیکتر میکند.
شرکت چینی تولیدکننده حافظه، چانگشین مموری تکنولوژیز (CXMT)، طبق گزارشها در حال آمادهسازی برای عرضه اولیه عمومی (IPO) در اوایل سال ۲۰۲۶ است و قصد دارد میلیاردها دلار سرمایه جذب کند. این اقدام در بحبوحه رونق جهانی هوش مصنوعی، فشار بر زنجیرههای تامین حافظه و افزایش قیمتها، و همچنین تنشهای تجاری مداوم بین ایالات متحده و چین صورت میگیرد. CXMT در تلاش چین برای خودکفایی در نیمهرساناها، به ویژه در تولید حافظه با پهنای باند بالا (HBM) که برای تراشههای هوش مصنوعی داخلی حیاتی است، نقش مهمی ایفا میکند.
با وجود سرمایهگذاریهای کلان، از جمله یک کارخانه بستهبندی HBM، CXMT همچنان چندین سال از رقبای جهانی مانند مایکرون و اسکی هاینیکس در فناوری HBM عقبتر است. در حالی که رقبا در حال عرضه یا آمادهسازی برای تولید انبوه HBM نسل بعدی هستند، CXMT پیشبینی میکند تولید انبوه HBM3 خود را در سال ۲۰۲۶ آغاز کند. این عرضه اولیه و پیشرفتهای CXMT گام بزرگی برای صنعت نیمهرسانای جوان چین محسوب میشود.
دولت آمریکا مجوز ویژه صادرات ابزارهای پیشرفته ساخت تراشه به کارخانه فب ۱۶ TSMC در نانجینگ چین را تا پایان سال ۲۰۲۵ لغو میکند. این تصمیم تامینکنندگان آمریکایی را ملزم به دریافت تاییدیههای جداگانه میکند که احتمالاً رد خواهند شد و بر گرههای تولید ۱۲، ۱۶ و ۲۸ نانومتری تأثیر میگذارد. TSMC متعهد به ادامه فعالیت است، اما جایگزینی ابزارهای آمریکایی با نمونههای چینی، به ویژه برای لیتوگرافی پیشرفته، چالشبرانگیز خواهد بود زیرا شرکتهای چینی هنوز به دقت و بازده مورد نیاز نرسیدهاند.
این اقدام تأثیر محدودی بر درآمد کلی TSMC خواهد داشت، زیرا فب ۱۶ بخش کوچکی از عملیات آن را تشکیل میدهد. با این حال، این خبر برای کارخانههای ریختهگری چینی مانند SMIC و Hua Hong فرصتی ایجاد میکند تا با جذب مشتریان TSMC، بهرهبرداری و ترازنامه خود را بهبود بخشند. این رویداد همچنین تلاشهای چین برای خودکفایی در صنعت نیمهرسانا را تقویت کرده و میتواند به افزایش یارانهها برای تولیدکنندگان داخلی منجر شود.
