اینتل اعلام کرده که بیش از یک میلیون ویفر ۳۰۰ میلیمتری را با استفاده از اسکنرهای High-NA EUV خود پردازش کرده است، که این رقم از مجموع کل صنعت بیشتر است. این دستاورد کمتر از دو سال و نیم پس از مونتاژ اولین ابزار حاصل شده و شامل ویفرهای تولیدی برای فناوری ۱۸A و پردازندههای Panther Lake اینتل میشود. با گسترش ناوگان اسکنرهای High-NA EUV، اینتل شاهد افزایش چشمگیری در بهرهبرداری تجمعی از این فناوری بوده است.
اینتل همچنین در حال پیشبرد استفاده از فوتوماسکهای بزرگتر ۶×۱۲ اینچی است تا از مشکلات “دوخت” (stitching) در نوردهی ویفرها جلوگیری کند. دوخت باعث کاهش توان عملیاتی، محدودیت در طراحی تراشه و افزایش احتمال نقص میشود. با وجود چالشهای عظیم در تغییر اکوسیستم ماسک و نیاز به اصلاح اسکنرها، اینتل به عنوان مبلغ اصلی این تغییر استاندارد عمل میکند و در صورت موفقیت، میتواند مزیت پیشگامی قابل توجهی در صنعت لیتوگرافی پروجکشن برای دهههای آینده کسب کند.
اینتل تایید کرده که فرآیند ساخت 14A آن، که برای تراشههای پیشرفته طراحی شده، به دلیل استفاده از دستگاههای لیتوگرافی High-NA EUV شرکت ASML، گرانتر از گره تولید 18A خواهد بود. با این حال، 14A عملکرد بهتری (15-20% به ازای هر وات) یا مصرف انرژی کمتری (25-35%) نسبت به 18A ارائه میدهد و شامل نوآوریهایی مانند RibbonFET 2 و Turbo Cells است.
ابزارهای High-NA EUV ASML بسیار گران هستند و اینتل رویکردی تهاجمی برای استقرار 14A دارد، در حالی که TSMC محتاطتر است. هزینههای تحقیق و توسعه 14A میلیاردها دلار است و برای توجیه این سرمایهگذاریها، Intel Foundry به مشتریان خارجی نیاز مبرم دارد. مدیران اینتل تاکید کردهاند که بدون مشتریان خارجی کافی، توجیه این گره دشوار خواهد بود. با این حال، به دلیل توافق با دولت ایالات متحده برای کنترل حداقل 51% از Intel Foundry، اینتل چارهای جز ادامه توسعه و تولید 14A ندارد. این وضعیت چالشهای مالی و استراتژیک اینتل را در رقابت با سایر بازیگران صنعت نیمههادی برجسته میکند.
