مدیر مالی اینتل، دیوید زینسنر، اعلام کرده است که فرآیند ساخت 14A این شرکت (کلاس 1.4 نانومتری) در کاهش چگالی نقص، عملکردی بهتر از انتظار و بیسابقه از زمان فناوری 22 نانومتری دهه 2010 از خود نشان داده است. این پیشرفت باعث افزایش اعتماد اینتل و مشتریان داخلی و خارجی به این گره تولیدی شده است. زینسنر این عملکرد را با موفقیت فرآیند 22 نانومتری در مراحل اولیه توسعه مقایسه کرده است، که یکی از بهترین گرههای تولیدی اینتل محسوب میشود.
با وجود اینکه تولید انبوه 14A تا سال 2028 فاصله دارد، مشتریان خارجی از هماکنون علاقه عملی به ظرفیتهای تولید آن نشان دادهاند. 14A قرار است از ترانزیستورهای RibbonFET نسل دوم GAA، فناوری PowerDirect و لیتوگرافی High-NA EUV استفاده کند. اینتل با این پیشرفت، امیدوار است که 14A برخلاف برخی گرههای ناموفق قبلی مانند 10 نانومتری و 20A، یک گره ماندگار و موفق باشد.
ASML اسکنر لیتوگرافی Twinscan XT:260 را معرفی کرده است که اولین ابزار طراحی شده از پایه برای بستهبندی پیشرفته سهبعدی تراشهها محسوب میشود. این دستگاه با افزایش چهار برابری توان عملیاتی نسبت به راهحلهای موجود، دقت بالا (وضوح 400 نانومتر، همپوشانی 35 نانومتر) و قابلیت پردازش ویفرهای ضخیم یا تابدار، گامی مهم در تولید تراشههای پیچیده برای هوش مصنوعی و ابررایانهها به شمار میرود. مزیت کلیدی آن پشتیبانی از نوردهی با دوز بالا و میدان تصویر بزرگ است که پردازش اینترپوزرهای وسیع را بدون نیاز به اتصال میدان ممکن میسازد و پیچیدگی و زمان تولید را کاهش میدهد.
این فناوری جدید ASML، با وجود هزینههای اولیه قابل توجه، مراحل حساس در سطح ویفر را سریعتر و ارزانتر خواهد کرد و زمینه را برای پذیرش گستردهتر فناوریهای بستهبندی پیشرفته در آینده فراهم میسازد. این ابزار مرز بین فاندریها و شرکتهای OSAT را محو کرده و نشاندهنده سرمایهگذاریهای عظیم در تجهیزات ساخت ویفر برای بستهبندی پیشرفته است. انتظار میرود شرکتهای بزرگی مانند اینتل، سامسونگ و TSMC به تدریج این سیستم را در فرآیندهای خود ادغام کنند.
TSMC ویدیویی نادر از داخل فب ۲۱ خود در آریزونا منتشر کرده که فرآیند پیچیده ساخت تراشه برای شرکتهایی چون اپل، AMD و انویدیا را به نمایش میگذارد. این ویدیو سیستم خودکار جابجایی مواد «بزرگراه نقرهای» و ابزارهای پیشرفته لیتوگرافی فرابنفش شدید (EUV) ASML Twinscan NXE را برجسته میکند که برای تولید مدارهای پیچیده پردازندههایی مانند Blackwell B300 انویدیا حیاتی هستند. این فب در حال حاضر بر روی فناوریهای N4 و N5 تمرکز دارد.
مدیرعامل TSMC، سی.سی. وی، تأیید کرده که این شرکت قصد دارد فناوریهای خود را در فاز ۲ فب ۲۱ به N2 و N3 ارتقا دهد، که با تقاضای فزاینده هوش مصنوعی تقویت میشود. TSMC همچنین در حال توسعه به یک «گیگافب» مستقل در آریزونا است تا بیش از ۱۰۰,۰۰۰ ویفر در ماه تولید کرده و نیازهای مشتریان پیشرو در حوزههای گوشی هوشمند، هوش مصنوعی و HPC را برآورده سازد.
