TSMC اعلام کرده است که از سال ۲۰۳۰ استفاده از لیتوگرافی پیشرفته High-NA EUV را آغاز خواهد کرد. این فناوری با وضوح تک‌نوردهی ۸ نانومتری، نسبت به سیستم‌های Low-NA EUV فعلی با وضوح ۱۳ نانومتری، برتری قابل توجهی دارد و برای تولید تراشه‌های پیچیده‌تر آینده ضروری است. TSMC قصد دارد ابتدا از فوتوماسک‌های ۶×۶ اینچی استفاده کند و سپس تا سال ۲۰۳۳ به فوتوماسک‌های بزرگ‌تر ۶×۱۲ اینچی روی آورد.

استفاده از فوتوماسک‌های ۶×۶ اینچی در High-NA EUV چالش‌هایی را برای ساخت دای‌های بزرگ ایجاد می‌کند. TSMC برای غلبه بر این محدودیت‌ها و تسهیل انتقال به فوتوماسک‌های بزرگ‌تر، با ASML همکاری می‌کند. این تغییر نیازمند تلاش کل صنعت است. گمانه‌زنی‌ها حاکی از آن است که گره‌های A10 یا A11 (کلاس ۱/۱.۱ نانومتر) اولین فناوری‌هایی خواهند بود که از این سیستم‌های جدید بهره می‌برند.