بر اساس گزارشی از BlueFin Research Partners (از طریق @jukan05)، اینتل مشکلات مربوط به نوسانات بازدهی ویفر به ویفر را در فناوری فرآیند 18A خود حل کرده است. اگر این گزارش که از یک منبع غیررسمی منتشر شده، دقیق باشد، اینتل می‌تواند از این پس انتظار بهبودهای پایدار و قابل پیش‌بینی در بازدهی محصولات خود که با استفاده از جدیدترین گره 1.8 نانومتری ساخته می‌شوند، داشته باشد.

BlueFin Research Partners در یادداشتی به مشتریان خود نوشت: «مشکل بازدهی ویفر به ویفر اینتل 18A حل شد؛ افزایش تولید به 12-15 هزار ویفر در ماه در هر دو سایت در حال انجام است.»

اگر این اطلاعات دقیق باشد، محصولاتی که با استفاده از فناوری فرآیند 18A اینتل ساخته می‌شوند، دیگر با نوسانات ویفر به ویفر، مشکلی که در آن ویفرهای خوب و بد در یک جریان تولیدی ساخته می‌شوند، دست و پنجه نرم نخواهند کرد. با این حال، نوسانات ویفر به ویفر تنها یکی از عوامل کاهش بازدهی است، بنابراین رفع آن به این معنی است که اینتل اکنون می‌تواند به طور مداوم بازدهی محصولات را بهبود بخشد، اما لزوماً به این معنی نیست که بازدهی کلی به سطح مطلوب اینتل رسیده است.

به طور کلی، بازدهی دای (Die Yield) توسط عوامل متعددی تعریف می‌شود، از جمله چگالی نقص (که به نوبه خود توسط نقص‌های تصادفی و نقص‌های سیستماتیک تعریف می‌شود)، نوسانات درون ویفر (تفاوت بین مرکز و لبه یک ویفر در مواردی مانند یکنواختی ابعاد بحرانی، ناهمواری لبه خط یا تصادفی بودن؛ چیزی که اینتل اخیراً در حال بهبود آن بوده است)، نوسانات ویفر به ویفر (بازدهی دای و/یا بازدهی پارامتریک از ویفری به ویفر دیگر متفاوت است) و بازدهی بسته‌بندی. وقتی صحبت از محصولات واقعی می‌شود، باید به بازدهی‌های پارامتریک (دای‌ها ممکن است بدون نقص باشند، اما مشخصات عملکرد و/یا توان را برآورده نمی‌کنند) و همچنین غربالگری قابلیت اطمینان (دای‌ها عملکردی هستند و مشخصات مورد نیاز را برآورده می‌کنند اما در تست‌های Burn-in شکست می‌خورند) نیز اشاره کنیم.

با این حال، گفتن اینکه اینتل «مشکلات بازدهی ویفر به ویفر را حل کرده است» به احتمال زیاد به این معنی است که فرآیند اکنون از ویفری به ویفر دیگر بسیار سازگارتر شده است، که به وضوح تنوع بین دسته‌ها را کاهش می‌دهد و تولید را قابل پیش‌بینی‌تر می‌کند. اما این بدان معنا نیست که چگالی نقص به سطوح هدف رسیده، بازدهی پارامتریک بهینه است و بازدهی اقتصادی کلی در جایی است که اینتل می‌خواهد باشد. آنچه که به معنای آن است این است که با یک سطح بهبود بازدهی ثابت (اینتل یک بار 7% در ماه برای 18A ذکر کرده بود)، اینتل قرار است در یک بازه زمانی قابل پیش‌بینی به اهداف خود برسد.

علاوه بر این، گزارش ادعا می‌کند که اینتل اکنون ظرفیت حدود 30,000 ویفر در ماه را در کارخانه توسعه D1X خود (احتمالاً ماژول 3) در اورگان و کارخانه تولید انبوه Fab 52 در آریزونا (تایید شده توسط @Alex_Intel_) دارد، که در این مرحله از چرخه افزایش تولید، یک نتیجه قوی محسوب می‌شود. با این حال، بدون اطلاعات در مورد بازدهی کلی دای و بازدهی‌های پارامتریک محصولات 18A اینتل، ارزیابی اینکه آیا اینتل اکنون می‌تواند به اندازه کافی پردازنده‌های Core Ultra 3 ‘Panther Lake’ و Xeon 6+ ‘Clearwater Forest’ تولید کند، دشوار است. در همین حال، باید توجه داشت که استفاده از یک مرکز توسعه برای تولید انبوه (HVM) پرهزینه‌تر از استفاده از کارخانه‌ای است که از ابتدا برای HVM طراحی شده است.

در همین حال، به نظر می‌رسد اینتل قصد دارد چنین رویه‌ای را با فرآیند ساخت نسل بعدی 14A (1.4 نانومتری) خود نیز ادامه دهد، طبق گفته BlueFin. این شرکت قصد دارد ‘D1X را به عنوان کارخانه اولیه HVM برای 14A’ قرار دهد، در حالی که فاز اول سایت تولید نیمه‌هادی Ohio One اینتل در اوهایو به عنوان دومین مرکز HVM برای ساخت تراشه‌های 14A عمل خواهد کرد، BlueFin ادعا می‌کند. اینتل اخیراً تایید کرده است که قصد دارد تولید انبوه تراشه‌ها با استفاده از 14A را در سال 2029 آغاز کند. فاز اول Ohio One (Mod 1) قرار است در سال 2030 تکمیل شود، به این معنی که طبق گفته اینتل، ‘بین سال‌های 2030 و 2031’ به بهره‌برداری خواهد رسید.