نانیا تکنولوژی (Nanya Technology) قصد دارد هزینه‌های سرمایه‌ای خود را تا سال ۲۰۲۷ به بیش از ۲۰۰ میلیارد دلار تایوان (۶.۲ میلیارد دلار آمریکا) افزایش دهد که تقریباً چهار برابر بودجه امسال آن است. این خبر را رئیس شرکت، Pei-Ing Lee، در یک نشست آنلاین اعلام کرد. این تولیدکننده حافظه تایوانی درآمد حسابرسی نشده سه ماهه دوم خود را ۸۲.۵۵ میلیارد دلار تایوان گزارش کرد که ۶۸۴ درصد نسبت به سال ۲۰۲۵ افزایش یافته است، و سود خالص آن ۵۰.۱۹ میلیارد دلار تایوان بود که ۱۳۲۴ درصد رشد داشته است. حاشیه سود ناخالص به ۷۹.۵ درصد رسید، در حالی که در سه ماهه مشابه سال ۲۰۲۵ منفی ۲۰.۶ درصد بود. سود این یک سه ماهه ۷.۶ برابر کل درآمد نانیا در سال گذشته است و درآمد این سه ماهه از کل فروش شرکت در سال ۲۰۲۵ فراتر رفته است.

نانیا در سال ۲۰۲۳ مبلغ ۱۳.۲ میلیارد دلار تایوان، در سال ۲۰۲۴ مبلغ ۱۶.۱ میلیارد دلار تایوان و در سال ۲۰۲۵ مبلغ ۱۳.۴ میلیارد دلار تایوان را صرف هزینه‌های سرمایه‌ای کرده است و طبق گزارش سرمایه‌گذاران سه ماهه اول خود، تا ۵۲ میلیارد دلار تایوان برای سال ۲۰۲۶ بودجه‌بندی کرده است. مجموع این چهار سال به ۹۴.۷ میلیارد دلار تایوان می‌رسد که کمتر از نصف مبلغی است که لی قصد دارد تنها در سال ۲۰۲۷ هزینه کند. با این حال، لی اذعان می‌کند که رقم سال ۲۰۲۷ اولیه است و هنوز به هیئت مدیره ارائه نشده است و کارخانه جدید در ظرفیت کامل خود حدود ۴۸۰ میلیارد دلار تایوان جذب خواهد کرد.

طبق گزارش نتایج خود نانیا، میانگین قیمت فروش این شرکت در سه ماهه اول سال ۲۰۲۶ بیش از ۷۰ درصد نسبت به سه ماهه قبل افزایش یافته است، در حالی که حجم ارسال بیت آن با درصدی تک رقمی کاهش یافته است. این شرکت رشد ارسال بیت را در محدوده ده تا نوزده درصد برای کل سال هدف قرار داده است، بنابراین تقریباً تمام افزایش ۶۸۴ درصدی درآمد به دلیل افزایش قیمت است. در همین حال، TrendForce افزایش ۱۳ تا ۱۸ درصدی دیگری را در قیمت‌های قراردادی DRAM معمولی در سه ماهه سوم پیش‌بینی می‌کند.

لی در کنفرانس درآمد ژانویه گفت که تقریباً ۷۰ درصد از محموله‌های نانیا شامل DDR4 و DDR4 کم‌مصرف است و DDR5 حدود ۱۰ درصد از درآمد را تشکیل می‌دهد. نانیا هیچ حافظه با پهنای باند بالا (HBM) تولید نمی‌کند و لی رقابت در HBM2، HBM3، HBM3E یا HBM4 را رد کرده است. با این حال، یک قطعه HBM سفارشی برای هوش مصنوعی لبه (edge AI) که با همکاری Etron Technology، Piecemakers Technology و Formosa Advanced Technologies توسعه یافته است، برای پایان سال جاری هدف‌گذاری شده است. حاشیه سود ۷۹.۵ درصدی آن نزدیک به یک خوانش خالص از DRAM معمولی است و در فاصله شش امتیازی از حاشیه سود ناخالص تلفیقی ۸۵ درصدی میکرون قرار دارد که در آخرین گزارش ۱۰-Q خود با ترکیب HBM گزارش کرده است.

SanDisk، Kioxia، Solidigm و Cisco در یک عرضه خصوصی که در ماه آوریل تکمیل شد، ۷۸.۷۲ میلیارد دلار تایوان برای ۱۰.۱۹ درصد از سهام نانیا پرداخت کردند. SanDisk و Kioxia نیز همزمان با این سرمایه‌گذاری، قراردادهای بلندمدت تامین DRAM را امضا کردند. سه شرکت از این چهار شرکت تولیدکننده SSD هستند و به DRAM برای حافظه کش نیاز دارند. Solidigm زیرمجموعه SK Hynix، دومین تولیدکننده بزرگ DRAM در جهان است و برای تامین آن به تامین‌کننده‌ای مراجعه کرده که تقریباً ۲ درصد از بازار را در اختیار دارد.

لی روز جمعه گفت که فاز اول کارخانه جدید نانیا در منطقه تایشان شهر جدید تایپه، در سال ۲۰۲۸ به ظرفیت ۳۰,۰۰۰ ویفر در ماه می‌رسد و بعداً به ۴۵,۰۰۰ ویفر افزایش خواهد یافت. این شرکت در یک نشست خبری در ماه مارس اعلام کرد که این کارخانه از گره ۱B نانیا، فرآیند ۱۰ نانومتری نسل دوم آن، برای تولید DDR5، DDR4 و DDR4 کم‌مصرف استفاده خواهد کرد. لی در آن نشست گفت که شدیدترین محدودیت‌های عرضه تا نیمه اول سال ۲۰۲۷ ادامه خواهد داشت و کمبود تا سال ۲۰۲۸ نیز پابرجا خواهد بود. انتظار می‌رود تنها کارخانه P3 سامسونگ تا پایان سال جاری به حدود ۱۱۵,۰۰۰ ویفر در ماه برسد.