شرکت ChangXin Memory Technologies (CXMT)، پیشرو در تولید DRAM چین، تولید آزمایشی حافظه HBM3E را آغاز کرده است. این خبر را The Information گزارش داده است. اگرچه CXMT هنوز یک نسل از سه تولیدکننده بزرگ حافظه که در حال تولید انبوه HBM4 هستند، عقب‌تر است، اما دستیابی به نقطه عطف HBM3E نشان‌دهنده پیشرفت سریع تکنولوژیکی این شرکت است.

مشخصات دقیق محصولات HBM3E شرکت CXMT هنوز مشخص نیست، اما با توجه به اینکه این تولید در مرحله آزمایشی قرار دارد، ممکن است مشخصات محصولات نهایی HBM3E از نمونه‌های تولید آزمایشی متفاوت باشد. در همین حال، مشخصات کلی JEDEC به خوبی شناخته شده است: ماژول‌های HBM3E دارای رابط حافظه ۱۰۲۴ بیتی هستند، از نرخ انتقال داده تا ۹.۶ گیگاترنسفر بر ثانیه (GT/s) در هر پین پشتیبانی می‌کنند و می‌توانند ۸ یا ۱۲ دستگاه حافظه را روی هم قرار دهند. بسته به سرعت دقیق، HBM3E می‌تواند تا ۱.۲۲۸ ترابایت بر ثانیه (TB/s) پهنای باند حافظه را فراهم کند.

ظرفیت پشته‌های حافظه واقعی به تعداد تراشه‌های DRAM استفاده شده در آن پشته بستگی دارد: محصولات HBM3E می‌توانند با استفاده از پشته هشت تراشه‌ای ظرفیت ۲۴ گیگابایت یا با استفاده از پشته ۱۲ تراشه‌ای ظرفیت ۳۶ گیگابایت را ارائه دهند، در صورتی که با دستگاه‌های DRAM 24 گیگابیتی ساخته شوند.

بر اساس این گزارش، چندین توسعه‌دهنده چینی پردازنده‌های پیشرفته، از جمله T-Head از گروه علی‌بابا و Cambricon Technologies، در حال حاضر HBM3E شرکت CXMT را با پردازنده‌های خود ارزیابی می‌کنند. اگر آزمایش و تأیید طبق برنامه پیش برود، این شرکت‌ها می‌توانند از اوایل سال آینده استفاده از HBM3E شرکت CXMT را در محصولات تجاری آغاز کنند.

از آنجایی که هر بسته HBM به چندین تراشه بزرگ DRAM نیاز دارد، افزایش تولید HBM می‌تواند ظرفیت قابل توجهی از تولید DRAM را مصرف کند، که در این زمان توسعه ظرفیت تهاجمی CXMT مفید خواهد بود.

تولید HBM3E توسط CXMT به دلایل متعددی اهمیت دارد و می‌توان گفت که نسل HBM3E به خودی خود کمتر از توانایی CXMT در تولید HBM قابل استفاده اهمیت دارد.

اولاً، HBM یکی از اجزای حیاتی شتاب‌دهنده‌های هوش مصنوعی مدرن است، بنابراین اگر HBM3E شرکت CXMT با پردازنده‌های Cambricon، T-Head و سایر طراحان چینی تأیید شود، چین برای ساخت سخت‌افزار هوش مصنوعی با کارایی بالا کمتر به Micron، Samsung و SK Hynix وابسته خواهد شد.

ثانیاً، با وجود اینکه یک نسل از HBM4 عقب‌تر است، HBM3E همچنان حافظه‌ای بسیار توانمند است و می‌تواند چندین ترابایت بر ثانیه پهنای باند را فراهم کند که برای شتاب‌دهنده‌های هوش مصنوعی قدرتمند کافی است. در واقع، بسیاری از توسعه‌دهندگان چینی شتاب‌دهنده‌های هوش مصنوعی لزوماً برای ساخت سیستم‌های هوش مصنوعی مفید به HBM4/HBM4E نیاز ندارند.

ثالثاً، ساخت HBM به طور قابل توجهی دشوارتر از ساخت DRAM معمولی است. CXMT نه تنها به تراشه‌های DRAM رقابتی نیاز دارد، بلکه به پشته‌سازی با بازده بالا، گذرگاه‌های سیلیکونی (TSV)، اتصالات بسیار ظریف، مدیریت حرارتی، بسته‌بندی و آزمایش نیز نیاز دارد. دستیابی به تولید آزمایشی HBM3E ثابت می‌کند که اکوسیستم حافظه چین فراتر از صرفاً تولید DRAM کالایی در حال پیشرفت است.

در نهایت، یک زاویه ژئوپلیتیکی مهم نیز وجود دارد. محدودیت‌های صادراتی دسترسی چین به پردازنده‌های پیشرفته هوش مصنوعی و HBM را محدود می‌کند، بنابراین ترکیبی از شتاب‌دهنده‌های طراحی شده چینی، HBM3E شرکت CXMT و بسته‌بندی پیشرفته داخلی نشان می‌دهد که چین یک گام به خودکفایی در نیمه‌رساناها نزدیک‌تر می‌شود.