پیشرفت چین به سمت خودکفایی فناورانه در سال‌های اخیر غیرقابل انکار است، اما یک چیز وجود دارد که این کشور تاکنون در توسعه آن ناکام مانده است: ابزارهای لیتوگرافی که هم‌تراز با ابزارهای ارائه شده توسط ASML باشند. این کاستی به شدت صنعت نیمه‌هادی داخلی آن را مختل کرده است. اما جنسن هوانگ، مدیرعامل انویدیا، معتقد است چین تنها در سه یا چهار سال آینده سیستم‌های لیتوگرافی پیشرفته خود را توسعه خواهد داد.

هوانگ در مصاحبه‌ای با پادکست The All-In (در دقیقه ۴۳:۴۳) گفت: “آنها تا سال ۲۰۳۰ به آنجا خواهند رسید. سال ۲۰۳۰ همین نزدیکی است. نحوه تفکر در مورد چین این است که این کشور در تولید با حجم بالا واقعاً خوب است. این فقط مسئله زمان است […] بنابراین دو یا سه سال فقط یک چشم به هم زدن است؛ چیزی نیست. پس تا آنجا که به آنها مربوط می‌شود، آنها از قبل آنجا هستند.”

هوانگ تمایل دارد به توسعه فناوری چین با خوش‌بینی نگاه کند. به طور خاص، او به این معروف است که صنعت هوش مصنوعی چین را “درست پشت سر” آزمایشگاه‌های پیشرو آمریکایی می‌داند، که با توجه به میزان سرمایه‌گذاری چین در هوش مصنوعی، ممکن است درست باشد. اما وقتی صحبت از صنعت نیمه‌هادی چین به طور کلی و بخش لیتوگرافی آن به طور خاص می‌شود، هوانگ ممکن است بیش از حد خوش‌بین باشد.

در حال حاضر، تولیدکننده پیشرو ابزارهای لیتوگرافی چین — شرکت تجهیزات الکترونیکی شانگهای میکرو (Shanghai Micro Electronics Equipment) — می‌تواند اسکنر خشک ۱۹۳ نانومتری ArF را به تولید انبوه برساند که برای ساخت تراشه‌ها با فناوری فرآیند کلاس ۹۰ نانومتری قابل استفاده است. در حالی که این شرکت گزارشاً یک اسکنر غوطه‌وری ArF با قابلیت ۲۸ نانومتری را توسعه داده است، هیچ مدرک عمومی مبنی بر تولید انبوه چنین سیستم‌هایی و استفاده از آنها برای تولید تراشه با حجم بالا وجود ندارد.

اگرچه گزارش‌هایی وجود دارد مبنی بر اینکه گروه فناوری الکترونیکی شانگهای آیشنگنا (Shanghai Aishengna Electronic Technology Group) (یک واحد یا وابسته به SMEE) اولین اسکنر غوطه‌وری خود را تحویل داده است که ممکن است قادر به چاپ تراشه‌ها با استفاده از فناوری فرآیند کلاس ۲۸ نانومتری باشد، اما این ابزارها قبل از اینکه بتوانند برای تولید انبوه نیمه‌هادی‌ها استفاده شوند، به صلاحیت‌سنجی گسترده‌ای نیاز دارند. بنابراین، اگر استقرار طبق زمان‌بندی‌های استاندارد پیش برود، سال‌ها طول خواهد کشید تا این واحد برای تولید انبوه تراشه‌ها استفاده شود.

حتی با فرض اینکه اولین اسکنرها در سال ۲۰۲۶ به تراشه‌سازان چینی تحویل داده شوند، استفاده گسترده از آنها در تولید قبل از سال‌های ۲۰۲۸-۲۰۲۹ بعید به نظر می‌رسد. علاوه بر این، تطابق با قابلیت‌های یک اسکنر غوطه‌وری ASML نسل اولیه، همچنان تامین‌کنندگان لیتوگرافی چینی را به طور قابل توجهی از سیستم‌های معاصر ASML عقب نگه می‌دارد، که برابری فناوری در لیتوگرافی غوطه‌وری ArF تا سال ۲۰۳۰ را بسیار بعید می‌سازد.

چین در لیتوگرافی فرابنفش شدید (EUV) به طور قابل توجهی عقب‌تر است. در حالی که گزارش‌هایی وجود دارد مبنی بر اینکه دانشمندان چینی موفق به توسعه یک منبع پلاسمای تولید شده با لیزر شده‌اند که می‌تواند نور با طول موج ۱۳.۵ نانومتر مورد نیاز برای این فناوری را تولید کند، به نظر نمی‌رسد چین حتی به مونتاژ یک نمونه اولیه اسکنر EUV نیز نزدیک باشد.

حتی اگر چین بتواند یک پلتفرم نوردهی آزمایشی EUV را بدون تسلط بر DUV غوطه‌وری با کیفیت تولید مونتاژ کند، تصور اینکه یک شرکت چینی بتواند اسکنرهای EUV را بدون حل سخت‌ترین مشکلات مشترک بین فناوری‌های DUV و EUV تولید کند، دشوار است. یک اسکنر لیتوگرافی تولیدی به قابلیت‌های فوق‌العاده‌ای در مراحل ویفر و رتیکل، تراز، همپوشانی، اپتیک پروجکشن و اندازه‌گیری نیاز دارد، فقط برای نام بردن از چند مورد.

اگر چین هنوز در صنعتی کردن این قابلیت‌ها برای DUV غوطه‌وری مشکل دارد، دلیل کمی وجود دارد که فرض کنیم به نوعی آنها را در سطح EUV که به مراتب سخت‌تر است، حل کرده است. اما با توجه به اهمیت بالقوه حیاتی رقابت هوش مصنوعی و عزم دولت چین برای دستیابی به خودکفایی فناورانه، ممکن است واقعاً فقط مسئله زمان باشد.