بر اساس تحقیقات Citrini Research، شرکت CXMT چین در مسیر دستیابی به ظرفیت تولید DRAM میکرون تا سال ۲۰۲۶ قرار دارد و این امر میتواند چین را به دومین تولیدکننده بزرگ DRAM جهان تبدیل کند. با حمایت دولت و سرمایهگذاریهای گسترده، پیشبینی میشود تا سال ۲۰۳۰، ظرفیت کلی تولید DRAM چین به ۱.۴۱ میلیون ویفر در ماه برسد که نشاندهنده خیز بلند این کشور در صنعت نیمههادی و هدف آن برای کاهش وابستگی است.
با این حال، چالشهای مهمی نظیر دسترسی به تجهیزات پیشرفته لیتوگرافی (با محدودیتهای قانونی مانند MATCH Act) پیش روی چین قرار دارد. تولیدکنندگان داخلی در حال توسعه ابزارها هستند، اما تولید انبوه زمانبر خواهد بود. تقاضای بیسابقه DRAM تا ۲۰۳۰، خصوصاً برای هوش مصنوعی، میتواند منجر به کسری قابل توجهی در عرضه جهانی شود. گسترش تولید چین میتواند به تثبیت قیمتها کمک کند، اما عمدتاً نیازهای داخلی را پوشش داده و کمبود جهانی را به طور کامل برطرف نخواهد کرد.
شرکتهای YMTC و CXMT در چین برای تسریع تولید حافظههای با پهنای باند بالا (HBM) داخلی، که برای شتابدهندههای هوش مصنوعی حیاتی هستند، همکاری میکنند. این اقدام با هدف کاهش وابستگی چین به تولیدکنندگان خارجی حافظه و در واکنش به محدودیتهای صادراتی آمریکا بر فناوریهای نیمهرسانا صورت میگیرد.
CXMT در حال حاضر روی HBM2 کار کرده و تولید HBM3 و HBM3E را برای سالهای ۲۰۲۶-۲۰۲۷ هدف قرار داده است. YMTC نیز تخصص خود را در فناوری پیوند هیبریدی (معماری Xtacking) که برای افزایش پهنای باند و بهبود عملکرد حرارتی HBM ضروری است، به ارمغان میآورد. زنجیره بستهبندی پیشرفته نیز به صورت داخلی در حال توسعه است.
این همکاری نشاندهنده تلاش چین برای خودکفایی در صنعت نیمهرسانا در مواجهه با فشارهای ژئوپلیتیکی است. موفقیت و مقیاسپذیری HBM چینی فراتر از بازار داخلی، به دسترسی به ابزار و تأیید صلاحیت مشتریان بستگی دارد.
شرکت چینی CXMT تولید انبوه حافظههای DDR5 خود را تا اواخر سال 2025 به تعویق انداخته است تا کیفیت محصولاتش را بهبود بخشد. این شرکت در ابتدا با چالشهایی نظیر استفاده از فناوری قدیمی (16 نانومتری) که منجر به هزینههای بالای تولید میشد، و همچنین مشکلات پایداری در دماهای مختلف مواجه بود. این مسائل نیاز به تغییر طراحی و ساخت فوتوماسکهای جدید را ایجاب کرد. با این حال، گزارشهای اخیر حاکی از بهبود قابل توجه کیفیت ماژولهای DDR5 CXMT است، به طوری که اکنون تقریباً با محصولات Nanya تایوان برابری میکند. اما، نرخ بازده در خط تولید CXMT همچنان پایین و حدود 50 درصد است که برای تولید انبوه DRAM غیرقابل قبول است و نیاز به پالایش و تجربه عملیاتی بیشتری دارد.
علاوه بر چالشهای فنی، CXMT با موانع ژئوپلیتیکی نیز روبروست. قوانین صادراتی ایالات متحده که در سال 2022 اعمال شد، نگهداری یا تامین تجهیزات ساخت ویفر برای گرههای پیشرفتهتر از 18 نانومتر را در چین ممنوع میکند. این امر میتواند پشتیبانی تامینکنندگان غربی را قطع کرده و بهبود بازده و تولید انبوه را دشوارتر سازد.
با این حال، CXMT به عنوان یک نهاد تحت حمایت دولت چین، از منابع مالی تقریباً نامحدودی برخوردار است که به آن امکان میدهد حتی در مواجهه با این مشکلات، به گسترش ظرفیت تولید خود ادامه دهد. این شرکت برنامههای جاهطلبانهای برای افزایش ظرفیت تولید ویفر تا پایان سال 2025 دارد. اما، وابستگی شدید CXMT به ابزارهای خارجی (تنها 20% بومیسازی) یک نقطه ضعف بزرگ است که در صورت قطع پشتیبانی خارجی، میتواند گسترش سریع ظرفیت و حتی بهبود کیفیت و بازده را به خطر اندازد. با وجود این، CXMT همچنان یک رقیب بالقوه قدرتمند در بازار جهانی DRAM محسوب میشود.
