سامسونگ در «اجلاس مدیران حافظه» از برنامه‌های خود برای حافظه HBM5 رونمایی کرد. هدف اصلی این نسل جدید، دو برابر کردن عملکرد و افزایش ۲۰ درصدی بهره‌وری انرژی نسبت به HBM4E است. این هدف جاه‌طلبانه نشان می‌دهد که HBM5 ممکن است با دو برابر کردن تعداد پین‌های رابط به این مهم دست یابد، زیرا افزایش نرخ انتقال داده به ازای هر پین در یک نسل بسیار دشوار است. پشته‌های HBM5 همچنین دارای بلوک مسیر حرارتی (HPB) برای بهبود خنک‌سازی خواهند بود.

دو برابر شدن پهنای باند HBM5 می‌تواند تا سال‌های ۲۰۲۸-۲۰۲۹ به ۴ ترابایت بر ثانیه به ازای هر پشته برسد و شتاب‌دهنده‌های هوش مصنوعی را قادر سازد تا پایان دهه به پهنای باند ۸۰ تا ۹۶ ترابایت بر ثانیه دست یابند. افزایش عرض رابط (مثلاً به ۴,۰۹۶ بیت) برای بهره‌وری انرژی آسان‌تر از افزایش سرعت به ازای هر پین است، اما پیچیدگی‌های تولید قابل توجهی دارد. مشخصات نهایی HBM5 هنوز در حد گمانه‌زنی است، اما هدف کلی بسیار جاه‌طلبانه به نظر می‌رسد.