تحلیلهای SemiAnalysis از تراشه Kirin 9030 هواوی نشان میدهد که فرآیند ساخت N+3 شرکت SMIC به چگالی ترانزیستوری چشمگیری دست یافته است. این فناوری ۷ نانومتری، با چگالی حدود ۱۱۳.۴ میلیون ترانزیستور در هر میلیمتر مربع، حتی از TSMC N6 نیز فراتر رفته و این موفقیت را بدون لیتوگرافی EUV و با تکیه بر تکنیکهای DUV چند الگوسازی کسب کرده است. این دستاورد، پیشرفت قابل توجهی برای صنعت نیمههادی چین محسوب میشود.
اما چگالی بالا لزوماً به معنای رقابتپذیری کلی نیست. Kirin 9030 از نظر عملکرد و بهرهوری انرژی، از پردازندههای پرچمدار مدرن عقبتر است و عملکردی مشابه تراشههای سه سال پیش دارد. Intel 18A با بهرهوری عملکردی به مراتب بالاتری، از فناوریهای پیشرفتهای مانند Gate-All-Around بهره میبرد. اگرچه SMIC پتانسیل افزایش چگالی در آینده را دارد، اما صرفاً چگالی ترانزیستور به تنهایی بهبود چشمگیری در عملکرد یا بهرهوری انرژی به ارمغان نمیآورد.
بر اساس تحقیقات Citrini Research، شرکت CXMT چین در مسیر دستیابی به ظرفیت تولید DRAM میکرون تا سال ۲۰۲۶ قرار دارد و این امر میتواند چین را به دومین تولیدکننده بزرگ DRAM جهان تبدیل کند. با حمایت دولت و سرمایهگذاریهای گسترده، پیشبینی میشود تا سال ۲۰۳۰، ظرفیت کلی تولید DRAM چین به ۱.۴۱ میلیون ویفر در ماه برسد که نشاندهنده خیز بلند این کشور در صنعت نیمههادی و هدف آن برای کاهش وابستگی است.
با این حال، چالشهای مهمی نظیر دسترسی به تجهیزات پیشرفته لیتوگرافی (با محدودیتهای قانونی مانند MATCH Act) پیش روی چین قرار دارد. تولیدکنندگان داخلی در حال توسعه ابزارها هستند، اما تولید انبوه زمانبر خواهد بود. تقاضای بیسابقه DRAM تا ۲۰۳۰، خصوصاً برای هوش مصنوعی، میتواند منجر به کسری قابل توجهی در عرضه جهانی شود. گسترش تولید چین میتواند به تثبیت قیمتها کمک کند، اما عمدتاً نیازهای داخلی را پوشش داده و کمبود جهانی را به طور کامل برطرف نخواهد کرد.
شرکت چینی CXMT، چهارمین تولیدکننده بزرگ DRAM جهان، برای عرضه اولیه سهام ۴.۲ میلیارد دلاری در شانگهای آماده میشود. این اقدام با هدف گسترش تولید و توسعه DRAM نسل بعدی، در بحبوحه کمبود جهانی حافظه و افزایش تقاضا از سوی هوش مصنوعی و رایانش ابری صورت میگیرد. CXMT در سال ۲۰۲۵ درآمد خود را دو برابر کرده و انتظار سودآوری دارد، که نشاندهنده بهرهبرداری از بازار پررونق فعلی است.
اما تاثیر این گسترش بر بازار جهانی حافظه در کوتاهمدت پیچیده است؛ ساخت کارخانههای جدید زمانبر بوده و سرمایهگذاری فعلی بلافاصله عرضه جهانی را افزایش نمیدهد. رقابت برای تجهیزات نیز میتواند عرضه را فشردهتر کرده و قیمتها را بالا نگه دارد. در بلندمدت، افزایش ظرفیت CXMT به جذب تقاضا و ایجاد رقابت سالمتر کمک میکند. این عرضه اولیه سهام، نشانهای از پایان کمبود RAM نیست، بلکه بخشی از تعادل مجدد آهسته صنعت حافظه در مواجهه با دنیای جدید هوش مصنوعی و ابری است.
چین با سرمایهگذاریهای عظیم، به دنبال خودکفایی در صنعت نیمههادی است، اما به شدت به ابزارهای غربی وابسته است؛ تنها ۱۵ تا ۳۰ درصد تجهیزات کارخانههایش بومی هستند. دولت چین با صندوقهای بزرگ، توسعه ابزارهای داخلی را هدف قرار داده، اما محدودیتهای صادراتی آمریکا و پیچیدگیهای فنی، این مسیر را دشوار کرده است. در حالی که چین در بخشهایی مانند رسوبگذاری و اچینگ پیشرفتهایی داشته، لیتوگرافی گلوگاه اصلی باقی مانده است.
شرکتهای چینی مانند SMEE و SiCarrier به قابلیت تولید ۲۸ نانومتر رسیدهاند، اما این دستاورد ۲۰ سال از فناوریهای پیشرفته ASML (با قابلیت ۵ نانومتر) عقبتر است. توسعه لیتوگرافی DUV غوطهوری فوقالعاده پیچیده است و چین به قطعات کلیدی آن دسترسی ندارد. پیشبینی میشود چین حداقل تا ۱۰ سال آینده نتواند در لیتوگرافی به سطح ASML یا Nikon برسد و برای تولید تراشههای پیشرفته همچنان به ابزارهای خارجی وابسته خواهد بود.
