سامسونگ فاندری این هفته در کنفرانس لیتوگرافی و الگوسازی نسل بعدی ۲۰۲۶ (NGL 2026) نقشه راه به‌روز شده فناوری‌های ساخت خود را ارائه کرد و طبق گزارش ZDNet Korea، تغییرات عمده‌ای را نسبت به نقشه راه ۲۰۲۴ فاش ساخت. سامسونگ به جای عجله برای عرضه گره SF1.4 (کلاس ۱.۴ نانومتر) به بازار، در سه سال آینده بر بهبود فرآیندهای تولید SF2 (کلاس ۲ نانومتر) تمرکز خواهد کرد. همچنین، سامسونگ قصد دارد از گره ساخت SF1A (کلاس ۱ نانومتر) به بعد، ابزارهای لیتوگرافی High-NA EUV را به کار گیرد که این اولین بار است که شرکت این برنامه را تایید می‌کند.

پیش از حرکت به سمت گره ۱۰ آنگستروم (یا کلاس ۱ نانومتر) در حدود سال ۲۰۳۰، سامسونگ فناوری‌های تولید سری SF2 خود (که شامل SF2P، SF2X، SF2A و SF2Z با تحویل توان از پشت می‌شود) را بهبود خواهد بخشید و فرآیند SF1.4 خود را در سال ۲۰۲۹ معرفی خواهد کرد.

تاخیر SF1.4 از سال ۲۰۲۷ به ۲۰۲۹ نشان می‌دهد که این شرکت سرعت توسعه فناوری‌های پیشرفته خود را کاهش داده تا منابع را بر روی رقابتی‌تر کردن خانواده SF2 از نظر بازده و حجم تولید متمرکز کند. با در نظر گرفتن اینکه سامسونگ یک قرارداد بلندمدت با تسلا برای تامین پردازنده‌های AI5 و AI6 تا سال ۲۰۳۳ امضا کرده است، اولویت این شرکت اطمینان از رضایت مشتری اصلی خود است.

دلیل دیگر برای طولانی شدن عمر SF2، برنامه گزارش شده این شرکت برای استفاده نهایی از پلیکل‌ها برای فوتوماسک‌های EUV است که روال‌های معمول در سامسونگ را تغییر می‌دهد و احتمالاً آن را مجبور می‌کند تا دستورالعمل‌های فرآیند را برای برخی از گره‌های آینده خود بازنگری کند.

جالب اینجاست که گره کلاس ۱ نانومتر سامسونگ گفته می‌شود که با SF1.4+، یک نسخه بهبود یافته از SF1.4 که از نامگذاری غیرمعمولی برای سامسونگ استفاده می‌کند، همزیستی خواهد داشت. چنین رویکردی نشان می‌دهد که این شرکت هم یک فرآیند “نوآورانه” کلاس ۱ نانومتر خواهد داشت که از لیتوگرافی High-NA EUV استفاده می‌کند و هم فناوری‌ای که بر جریان‌ها و مواد اثبات شده Low-NA EUV متکی است.

اگرچه سامسونگ یک اسکنر لیتوگرافی ASML Twinscan EXE:5000 EUV با اپتیک پروجکشن با دیافراگم عددی ۰.۵۵ را خریداری کرده و بیش از یک سال است که از آن برای اهداف تحقیقاتی استفاده می‌کند، اما این شرکت عجله‌ای برای به‌کارگیری لیتوگرافی High-NA EUV برای فناوری‌های ساخت کلاس ۲ نانومتر و ۱.۴ نانومتر خود ندارد. سامسونگ تنها قصد دارد چنین ابزاری را برای فرآیند کلاس ۱ نانومتر خود در حدود سال ۲۰۳۰ به کار گیرد.

چانگ مین پارک، معاون ارشد فناوری در سامسونگ الکترونیکس، در این کنفرانس گفت: “ما می‌خواستیم High-NA EUV را در تولید انبوه در گره‌هایی مانند ۲ نانومتر و ۱.۴ نانومتر به کار ببریم، اما این فناوری هنوز نیازمند بهبودهای بیشتری است.” وی افزود: “ما معتقدیم High-NA EUV از A10 و پایین‌تر ضروری خواهد شد و ما در حال توسعه مشترک با شرکای مختلف هستیم.”

برای سازندگان تراشه، چالش اصلی با ابزارهای High-NA EUV شرکت ASML، هزینه‌های به مراتب بالاتر در مقایسه با سیستم‌های Low-NA EUV مورد استفاده امروزی است که هزینه‌های کارخانه‌ها را به شدت افزایش می‌دهد و می‌تواند بر هزینه‌های تراشه‌ها تاثیر بگذارد. در همین حال، اسکنرهای High-NA EUV میدان نوردهی کوچک‌تری را معرفی می‌کنند که ممکن است برای تراشه‌های بزرگ نیاز به دوخت قالب (die stitching) داشته باشد و طراحی‌ها را پیچیده کند، که تا حد زیادی مزیت عملکردی آن‌ها را نسبت به سیستم‌های Low-NA EUV معمولی که بر کاهش نیاز به استفاده از چند الگوسازی (multipatterning) متکی هستند، کاهش می‌دهد.

علاوه بر این، High-NA EUV به فوتورزیست‌های بهبود یافته، ماسک‌های متفاوت، پلیکل‌ها، اندازه‌گیری، بازرسی و لیتوگرافی محاسباتی نیاز دارد، که تنها برخی از الزامات هستند. در نتیجه، سازندگان تراشه باید تعیین کنند که چه زمانی استفاده از تک الگوسازی گران‌قیمت بر روی ابزارهای High-NA EUV برایشان منطقی است و چه زمانی می‌توانند با چند الگوسازی 0.33-NA EUV که به طور فزاینده‌ای بالغ شده است، کار کنند. به عنوان مثال، اینتل قصد دارد از ابزارهای High-NA EUV با برخی از فناوری‌های ۱۴A خود استفاده کند، در حالی که TSMC لیتوگرافی High-NA EUV را به عنوان فناوری‌ای برای دهه ۲۰۳۰ می‌بیند.